2026年1月，我校物理与光电工程学院科研团队在国际顶级期刊Nature Communications发表题为“Tailoring polarization homogeneity in discontinuous-columnar Bi(Fe,Mn)O? thin films via dislocation engineering with controlled self-assembly”的论文。51动漫-51动漫网免费在线追番为第一署名单位，隋慧婷副教授为第一作者。
文章指出，材料内部普遍存在的各类缺陷，其空间构型、密度等对铁电性能的调控具有重要作用。低密度、随机分布的缺陷虽可抑制局部应变波动、促进畴结构有序排列，但往往导致畴翻转能垒升高、矫顽场增大；而高密度随机缺陷虽有助于应变传递、降低畴壁运动势垒，却容易引入无序应变�。辗⒓行�，从而降低剩余极化强度并加速性能老化。因此，需要通过协同调控缺陷的排布、密度及局域应变�。迪痔绮牧显诮猛绯 ⑹Ｓ嗉翱估匣裙丶阅苌系淖酆嫌呕�，为发展高性能、高稳定性的铁电存储器奠定基础。
团队提出了一种基于可控自组装的新型位错工程策略，突破了传统单纯降低缺陷密度方法在BFMO薄膜铁电性能调控中面临的局限。利用常见的LaNiO3缓冲层，将BFMO与Ni-Cr之间的晶格失配从~3.8%降至~1.0%，主动引入薄膜间的晶格与热膨胀失配，在薄膜中构建高密度位错环境。研究成功引导刃型位错沿晶界进行拓扑保护型自组装，形成高度有序的微观结构，确立一种以“位错构型调控”为核心的新型缺陷工程范式，显著增强极化均匀性，从而降低了铁电畴翻转能垒，实现了更均匀的畴钉扎效应，表明通过主动设计位错排布可显著提升材料铁电性能与稳定性。（物理与光电工程学院）
